型号:IXTA2N100 | 类别:FET - 单 | 制造商:IXYS |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
系列 | - |
制造商 | IXYS |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 7 欧姆 @ 1A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 18nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 825pF @ 25V |
功率_最大 | 100W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | TO-263 |
包装 | 管件 |
供应商
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